高数値孔径之曝光装置用的薄膜,申请号TW096103673-传众专利搜索

高数値孔径之曝光装置用的薄膜

申请公布号：TW200732835

申请号：TW096103673

申请日期：2007.02.01

申请公布日期：2007.09.01

申请人：

三井化学股份有限公司

发明人：近藤正浩;中野利 NAKANO, TOSHIHIKO

分类号：G03F1/14(2006.01);G03F1/08(2006.01);H01L21/027(2006.01)

主分类号：G03F1/14(2006.01)

代理人：詹铭文;萧锡清

地址：日本

摘要：本发明提供一种用于半导体微影制程且可用于光学系统之数值孔径为1.0或1.0以上之曝光装置中的薄膜(pellicle)。本发明的薄膜使用以如下方式对膜厚进行了调整的薄膜用膜，即：当曝光用光对薄膜用膜的入射角在大于等于0°小于等于20°的范围内时，薄膜用膜呈现出95％或95％以上的透过率。藉由使用本发明的薄膜，可防止尘埃附着于标线上，从而能以良好的良率生产出具有前所未有的微细之电路图案的半导体元件。