浅沟渠隔离结构之制造方法,申请号TW087108988-传众专利搜索

浅沟渠隔离结构之制造方法

申请公布号：TW374947

申请号：TW087108988

申请日期：1998.06.06

申请公布日期：1999.11.21

申请人：

联华电子股份有限公司

发明人：游萃蓉;卢火铁;陈进来

分类号：H01L21/76

主分类号：H01L21/76

代理人：詹铭文

地址：新竹科学工业园区新竹巿力行二路三号

摘要：一种浅沟渠隔离结构之制造方法，包括在基底中形成沟渠。接着填入氧化物于沟渠中并且覆盖基底。接着，使用化学机械研磨法去除部份的氧化物。然后沉积一层旋涂式玻璃层覆盖此氧化物。接着使用回蚀刻方法，去除旋涂式玻璃层与部份的此层氧化物。本发明之方法可以避免氧化层上形成微细刻痕或缺陷。

主权项：1.一种浅沟渠隔离之制造方法,包括:提供一基底;形成一罩幕层覆盖该基底;定义该罩幕层与该基底,以形成一沟渠于该基底中;形成一衬氧化层于该沟渠中该基底之表面上;形成一氧化层填入于该沟渠中且覆盖该罩幕层;去除部份的该氧化层;形成一旋涂式玻璃层覆盖该氧化层;去除该氧化层与该旋涂式玻璃层,直至约暴露出该罩幕层;以及去除该罩幕层,直至约暴露出该基底。2.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离之制造方法,其中该罩幕层为一氮化矽层。3.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离之制造方法,其中去除部份的该氧化层的方法包括化学机械研磨法。4.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离之制造方法,其中去除该氧化层与该旋涂式玻璃层直至约暴露出该罩幕层的步骤中包括使用回蚀刻法。5.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离之制造方法,其中形成该罩幕层的方法包括化学气相沉积法。6.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离之制造方法,其中形成该氧化层的方法包括化学气相沉积法。7.一种浅沟渠隔离之制造方法,包括:提供一基底;形成一氮化矽层覆盖该基底;定义该氮化矽层与该基底,以形成一沟渠于该基底中;形成一氧化层填入于该沟渠中;研磨掉部份的该氧化层;形成一旋涂式玻璃层覆盖该氧化层;去除该旋涂式玻璃层与部份的该氧化层,以暴露出该氮化矽层。8.如申请专利范围第7项所述之浅沟渠隔离之制造方法,其中研磨部份的该氧化层的方法包括化学机械研磨法。9.如申请专利范围第7项所述之浅沟渠隔离之制造方法,其中去除该旋涂式玻璃层与部份的该氧化层的方法以暴露出该氮化矽层的方法,包括回蚀刻法。10.如申请专利范围第7项所述之浅沟渠隔离之制造方法,其中形成该氮化矽层的方法包括化学气相沉积法。11.如申请专利范围第7项所述之浅沟渠隔离之制造方法,其中形成该氧化层的方法包括化学气相沉积法。图式简单说明:第一图至第五图系绘示习知一种浅沟渠隔离结构之制造流程剖面图;第六图系绘示第五图之上视图;第七图至第十二图系绘示依照本发明一较佳实施例的一种浅沟渠隔离结构之制造流程剖面图;以及第十三图系绘示第十二图之上视图。