レジスト組成物及びレジストパターン形成方法,申请号JP20150120482-传众专利搜索

レジスト組成物及びレジストパターン形成方法

申请公布号：JP2017003919(A)

申请号：JP20150120482

申请日期：2015.06.15

申请公布日期：2017.01.05

申请人：

東京応化工業株式会社

发明人：平山拓;川名大助;小室嘉崇;新井雅俊;松丸省吾;鈴木健太;神園喬;藤井達也

分类号：G03F7/039;C08F220/28;C08F220/58;G03F7/20

主分类号：G03F7/039

摘要：【課題】レジスト組成物及びレジストパターン形成方法の提供。【解決手段】酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）を含有し、前記基材成分（Ａ）が、下記一般式（ａ０−１）で表される構成単位（ａ０）と、下記一般式（ａ９−１）で表される構成単位（ａ９）とを含有することを特徴とするレジスト組成物。［ＲはＨ、Ｃ１〜５のアルキル基またはＣ１〜５のハロゲン化アルキル基、ＹａはＣ、ＸａはＹａとともに２価の環状の炭化水素基を形成する基。Ｒａ０１〜Ｒａ０３は、Ｈ、Ｃ１〜１０の１価の鎖状飽和炭化水素基又は炭素数３〜２０の１価の脂肪族環状飽和炭化水素基である。Ｙａ９１は単結合または２価の連結基であり、Ｒ９１は置換基を有していてもよい炭化水素基であり、Ｒ９２は酸素原子または硫黄原子である。］［化１］【選択図】なし