存储结构及其制作方法,申请号CN201610579414.3-传众专利搜索

存储结构及其制作方法

申请公布号：CN105957808A

申请号：CN201610579414.3

申请日期：2016.07.20

申请公布日期：2016.09.21

申请人：

武汉新芯集成电路制造有限公司

发明人：徐强;高晶;李广济;严萍

分类号：H01L21/28(2006.01)I

主分类号：H01L21/28(2006.01)I

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：屈蘅;李时云

地址：430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号

摘要：本发明公开了一种存储结构及其制作方法，所述制作方法包括：提供一基底；在所述基底的上表面形成交叠层，所述交叠层包括自下至上依次沉积多层交错堆叠的隔离层和刻蚀层；部分刻蚀所述交叠层和基底，在所述交叠层和基底中形成沟槽，在所述沟槽的侧壁处，所述隔离层的侧壁相比于所述刻蚀层的侧壁突出；去除剩余的所述刻蚀层；在多层所述隔离层之间形成金属栅。本发明通过一定的刻蚀工艺，在所述交叠层和基底中形成沟槽，在所述沟槽的侧壁处，所述隔离层的侧壁相比于所述刻蚀层的侧壁突出，从而使得在后续所述金属栅的形成过程中，很容易实现相邻层的所述金属栅和金属栅的分离工艺，且能够防止所述金属栅之间的短接。

主权项：一种存储结构的制作方法，其特征在于，包括：提供一基底；在所述基底的上表面形成交叠层，所述交叠层包括自下至上依次沉积多层交错堆叠的隔离层和刻蚀层；部分刻蚀所述交叠层和基底，在所述交叠层和基底中形成沟槽，在所述沟槽的侧壁处，所述隔离层的侧壁相比于所述刻蚀层的侧壁突出；去除剩余的所述刻蚀层；在多层所述隔离层之间形成金属栅。