微电极阵列及其形成方法,申请号CN201280058828.1-传众专利搜索

微电极阵列及其形成方法

申请公布号：CN103957990B

申请号：CN201280058828.1

申请日期：2012.11.30

申请公布日期：2016.08.24

申请人：

国际商业机器公司

发明人：程慷果;A·哈希比;A·卡基菲鲁兹;D·S·莫德哈

分类号：A61N1/04(2006.01)I;A61N1/05(2006.01)I;A61N1/36(2006.01)I

主分类号：A61N1/04(2006.01)I

代理机构：

北京市中咨律师事务所 11247

代理人：贺月娇;于静

地址：美国纽约

摘要：一种方法，包括：在衬底(106)中形成一个或多个沟槽(104)；用电介质衬里(112)为所述一个或多个沟槽(104)加衬；用导电电极(102)填充所述一个或多个沟槽(104)以形成一个或多个沟槽电极(102)；在所述衬底(106)上形成晶体管层(108)；将所述一个或多个沟槽电极(102)中的每一个连接到所述晶体管层(108)中的至少一个存取晶体管(716)；以及减薄所述衬底(106)以暴露每一个所述沟槽电极(102)的至少一部分。

主权项：一种形成微电极阵列的方法，包括：在衬底(106)中形成一个或多个沟槽(104)；用电介质衬里(112)为所述一个或多个沟槽(104)加衬；用导电电极(102)填充所述一个或多个沟槽(104)以形成一个或多个沟槽电极(102)；在所述衬底(106)上形成晶体管层(108)；将所述一个或多个沟槽电极(102)中的每一个连接到所述晶体管层(108)中的至少一个存取晶体管(716)；减薄所述衬底(106)以暴露每一个所述沟槽电极(102)的至少一部分；以及用电介质层(120)覆盖所述衬底(106)的暴露部分，其中每一个所述沟槽电极的表面部分与所述电介质层的表面部分共面。