包含具有集成式静电放电保护的装置的固态换能器装置及相关联系统与方法,申请号CN201280042001.1-传众专利搜索

包含具有集成式静电放电保护的装置的固态换能器装置及相关联系统与方法

申请公布号：CN103765586B

申请号：CN201280042001.1

申请日期：2012.08.15

申请公布日期：2016.08.17

申请人：

美光科技公司

发明人：弗拉基米尔·奥德诺博柳多夫;马丁·F·舒伯特

分类号：H01L27/14(2006.01)I;H01L27/04(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I

主分类号：H01L27/14(2006.01)I

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：孙宝成

地址：美国爱达荷州

摘要：本文中揭示具有集成式静电放电保护的固态换能器装置及相关联系统与方法。在一个实施例中，一种固态换能器装置包含固态发射体及由所述固态发射体承载的静电放电装置。在一些实施例中，所述静电放电装置与所述固态发射体共享共同第一触点及共同第二触点。在进一步实施例中，固态照明装置与所述静电放电装置共享共同外延衬底。在更进一步实施例中，所述静电放电装置定位于所述固态照明装置与支撑衬底之间。

主权项：一种形成固态换能器装置的方法，其包括：在形成于外延衬底上的缓冲材料上形成固态发射体，所述固态发射体具有第一半导体材料、第二半导体材料及所述第一与第二半导体材料之间的作用区；选择性地去除所述外延衬底和所述缓冲材料的一部分；借助第一衬底承载所述固态发射体，所述第一衬底具有接触所述固态发射体的导电结构；及由所述外延衬底和所述缓冲材料的剩余部分形成静电放电装置，其中形成所述静电放电装置包括：形成穿过所述静电放电装置及所述固态发射体的至少一部分的通孔；将第一导电材料沉积于所述通孔中，其中所述第一导电材料接触所述导电结构；及将第二导电材料沉积于所述固态发射体及所述静电放电装置上。