CMOS接触式荧光检测分析阵列传感芯片,申请号CN201310542472.5-传众专利搜索

CMOS接触式荧光检测分析阵列传感芯片

申请公布号：CN103604784B

申请号：CN201310542472.5

申请日期：2013.11.05

申请公布日期：2016.05.18

申请人：

浙江工业大学

发明人：施朝霞;曹全君;李如春

分类号：G01N21/64(2006.01)I;H01L27/144(2006.01)I

主分类号：G01N21/64(2006.01)I

代理机构：

杭州天正专利事务所有限公司 33201

代理人：王兵;黄美娟

地址：310014 浙江省杭州市下城区潮王路18号

摘要：CMOS接触式荧光检测分析阵列传感芯片，包括芯片本体，所述的芯片本体包括硅胶衬底、SU-8厚胶、信号处理电路、光电传感阵列、有源预处理放大阵列和异步时序控制电路，SU-8厚胶固定在所述的硅衬底上表面，SU-8厚胶上设置至少一个荧光反应池组，每个荧光反应池组由至少一个微反应池成；位于荧光反应池组正下方的硅胶衬底上铺设相应的信号处理电路、光电传感阵列、有源预处理放大阵列和异步时序控制电路；信号处理电路的信号输出端与压焊块连接。本发明有益效果是：光电PN结二极管可将荧光转换成光电流；光电PN结二极管与有源信号处理电路单片集成，减少信号传递损耗和实现检测微型化；微反应池可进行单个或多个样品同时检测。

主权项：CMOS接触式荧光检测分析阵列传感芯片，包括芯片本体，其特征在于：所述的芯片本体包括硅衬底、SU‑8厚胶、信号处理电路、光电传感阵列、有源预处理放大阵列和异步时序控制电路，所述的SU‑8厚胶固定在所述的硅衬底上表面，所述的SU‑8厚胶上设置至少一个荧光反应池组，每个所述的荧光反应池组由至少一个微反应池构成；位于荧光反应池组正下方的硅衬底上铺设相应的信号处理电路、光电传感阵列；所述的光电传感阵列与所述的信号处理电路之间设置金属屏蔽层；所述的光电传感阵列的信号输入端与所述的异步时序控制电路的信号输出端信号相连、所述的光电传感阵列的信号输出端与所述的有源预处理放大阵列的信号输入端相连；所述的有源预处理放大阵列的信号输出端与所述的信号处理电路的信号输入端信号连接、并且所述的信号处理电路的信号输出端与压焊块连接。