瞬时电压抑制器电路与用于其中的二极管元件及其制造方法,申请号CN201210205997.5-传众专利搜索

瞬时电压抑制器电路与用于其中的二极管元件及其制造方法

申请公布号：CN103515940B

申请号：CN201210205997.5

申请日期：2012.06.18

申请公布日期：2016.05.18

申请人：

立锜科技股份有限公司

发明人：黄宗义;苏金练

分类号：H02H9/04(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I

主分类号：H02H9/04(2006.01)I

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：陈肖梅;谢丽娜

地址：中国台湾新竹县竹北市

摘要：本发明提出一种瞬时电压抑制器(transient voltage suppressor,TVS)电路与用于其中的二极管元件及其制造方法。瞬时电压抑制器电路用以耦接至受保护电路，进而限制输入受保护电路的瞬时电压振幅，其包含抑制元件与至少一二极管元件。二极管元件形成于基板中，包括：井区，形成于基板上表面下；分隔区，形成于上表面下；第一导电型顺向区，形成于分隔区一侧的上表面下方；第二导电型逆向区，形成于分隔区另一侧的上表面下方，其中顺向区与逆向区由分隔区隔开；以及埋层，形成于井区下方的基板中，其具有与井区相同的导电型，且该埋层的杂质浓度高于该井区的杂质浓度。

主权项：一种瞬时电压抑制器电路，用以耦接至一受保护电路，进而限制一输入该受保护电路的瞬时电压的振幅，其特征在于，该瞬时电压抑制器电路包含：一抑制元件，具有一PN接面，用以限制该瞬时电压的振幅；以及至少一二极管元件，耦接于该受保护电路与该抑制元件之间，且与该PN接面反向对接；其中，该二极管元件形成于一P型基板中，该基板具有一上表面，该二极管元件包括：一N型井区，形成于该上表面下的该基板中；一分隔区，形成于该上表面下的该基板中，由俯视图视的，该分隔区位于该井区中；一P型顺向区，形成于该分隔区一侧的该上表面下方；一N型逆向区，形成于该分隔区另一侧的该上表面下方，且该顺向区与该逆向区由该分隔区隔开；以及一N型埋层，形成于该井区下方的该基板中，且该埋层的杂质浓度高于该井区的杂质浓度。