一种基于纳米二氧化硫的电路板用蚀刻液的制备方法,申请号CN201510952044.9-传众专利搜索

一种基于纳米二氧化硫的电路板用蚀刻液的制备方法

申请公布号：CN105542774A

申请号：CN201510952044.9

申请日期：2015.12.16

申请公布日期：2016.05.04

申请人：

无锡吉进环保科技有限公司

发明人：刘进军

分类号：C09K13/06(2006.01)I

主分类号：C09K13/06(2006.01)I

地址：214000 江苏省无锡市崇安区解放东路918-12B9

摘要：本发明公布了一种基于纳米二氧化硫的电路板用蚀刻液的制备方法，其中所述蚀刻液包括以下重量百分比的组合物：纳米二氧化硫3.5％～6.5％；三乙醇胺1.2％～1.6％；碘酸0.5％～1.6％；有机盐酸2.5％～3.3％；非离子表面活性剂1.5％～2.3％；稳定剂0.5％～1.5％；消泡剂3.5％～5.6％；其余为蒸馏水。本发明通过在原有工艺的基础上新加入了纳米二氧化硫，不仅能够在不发生抗蚀涂层渗透的情况下进行蚀刻，显著提高铬金属膜的蚀刻速度，具有蚀刻速度可控性，有效抑制抗蚀保护层的劣化，得到表面平坦光滑的铬金属膜配线，具有重要的应用价值。

主权项：一种基于纳米二氧化硫的电路板用蚀刻液的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：第一步：将弱酸性阳离子交换树脂加入到重量百分比为2.5％～3.3％有机盐酸中，搅拌混合，搅拌的速度为50～60转/分钟，搅拌时间为5～7分钟，搅拌温度为10～13℃，然后滤出弱酸性阳离子交换树脂，控制或去除有机盐酸中的杂质离子；第二步：将重量百分比为3.5～6.5％的纳米二氧化硫和三分之一的蒸馏水到入反应釜中，在常温、常压下充分搅拌，搅拌时间为10～12分钟，搅拌速度为60～70转/分钟，搅拌温度为14～18℃；第三步：然后加入重量百分比为1.2％～1.6％的三乙醇胺，充分搅拌6～7分钟；加入重量百分比为0.5～1.6％的碘酸，充分搅拌5～7分钟；加入三分之一的蒸馏水，充分搅拌4～6分钟；加入重量百分比为2.5～3.3％的有机盐酸，充分搅拌5～7分钟；加入重量百分比为1.5～2.3％的非离子表面活性剂，充分搅拌4～6分钟；加入重量百分比为0.5～1.5％的稳定剂；加入重量百分比为3.5～5.6％的消泡剂，充分搅拌3～7分钟；最后再加剩余蒸馏水，再搅拌8～10分钟，搅拌速度为45～55转/分钟，搅拌温度均为14～18℃；第四步：最后将制得的混合物经0.12μm的过滤器过滤，以去除混合物中粒径大于0.12μm的有害粒子，制得所需蚀刻液，其表面张力低为20～40×10‑3N/m。