MRAM器件的形成方法,申请号CN201410260647.8-传众专利搜索

MRAM器件的形成方法

申请公布号：CN105336849A

申请号：CN201410260647.8

申请日期：2014.06.12

申请公布日期：2016.02.17

申请人：

中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人：湛兴龙

分类号：H01L43/12(2006.01)I

主分类号：H01L43/12(2006.01)I

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：张振军

地址：201203 上海市浦东新区张江路18号

摘要：本发明提供了一种MRAM器件的形成方法，包括：提供半导体衬底，该半导体衬底上形成有磁隧道结层；在所述磁隧道结层上形成牺牲层；刻蚀所述牺牲层以在其中形成通孔；在所述通孔的内侧壁上形成侧墙；对所述通孔底部的磁隧道结层进行第一步刻蚀，以预先去除所述通孔底部的部分磁隧道结层；去除所述牺牲层，以所述侧墙为掩膜对所述磁隧道结层进行第二步刻蚀，去除所述侧墙下方以外的磁隧道结层，所述侧墙下方的磁隧道结层形成环状的磁隧道结。本发明能够避免刻蚀负载效应导致的短路等问题，还具有工艺流程简单的优点。

主权项：一种MRAM器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，该半导体衬底上形成有磁隧道结层；在所述磁隧道结层上形成牺牲层；刻蚀所述牺牲层以在其中形成通孔；在所述通孔的内侧壁上形成侧墙；对所述通孔底部的磁隧道结层进行第一步刻蚀，以预先去除所述通孔底部的部分磁隧道结层；去除所述牺牲层，以所述侧墙为掩膜对所述磁隧道结层进行第二步刻蚀，去除所述侧墙下方以外的磁隧道结层，所述侧墙下方的磁隧道结层形成环状的磁隧道结。