一种高纯度二氧化硅的制备方法,申请号CN201310733295.9-传众专利搜索

一种高纯度二氧化硅的制备方法

申请公布号：CN104724716A

申请号：CN201310733295.9

申请日期：2013.12.23

申请公布日期：2015.06.24

申请人：

天津市科密欧化学试剂有限公司

发明人：李刚;刘庆山

分类号：C01B33/18(2006.01)I

主分类号：C01B33/18(2006.01)I

代理机构：

天津市三利专利商标代理有限公司 12107

代理人：李蕊

地址：300000 天津市津南区咸水沽镇工业园区兴园路11号

摘要：本发明提供了一种高纯度二氧化硅的制备方法，具体步骤为：（1）纯水加热至75-90℃，加入分析纯硅酸钠搅拌加热至溶解后过滤，滤液保持澄清，得硅酸钠溶液备用，其中纯水与分析纯硅酸钠的体积质量比按ml/g计为1.5-3∶1；（2）将高纯硝酸配制成50%硝酸溶液并缓慢加入到硅酸钠溶液中，同时不断搅拌使其生成颗粒细小的结晶，即二氧化硅结晶；（3）待结晶沉淀完全后停止加入硝酸，静置结晶8-15小时，加入75-90℃热水洗至结晶中氯化物检测合格后，将结晶离心甩干，装盘于100℃烘干8-12小时，再进入高温炉于900℃-1000℃灼烧8-12小时，即得；所述制备方法满足了光学领域对二氧化硅高纯度的生产需求。

主权项：一种高纯度二氧化硅的制备方法，其特征在于：具体制备步骤如下：（1）纯水加热至75‑90℃，加入分析纯硅酸钠搅拌加热至溶解后过滤，滤液保持澄清，得硅酸钠溶液备用，其中纯水与分析纯硅酸钠的体积质量比按ml/g计为1.5‑3:1；（2）将高纯硝酸配制成50%硝酸溶液并缓慢加入到步骤（1）的硅酸钠溶液中，同时不断搅拌使其生成颗粒细小的结晶，即二氧化硅结晶；（3）待结晶沉淀完全后停止加入硝酸，静置结晶8‑15小时，加入75‑90℃热水洗至结晶中氯化物检测合格后，将结晶离心甩干，装盘于100℃烘干8‑12小时，再进入高温炉于900℃‑1000℃灼烧8‑12小时，即得。