发光半导体方法和装置,申请号CN201410346118.X-传众专利搜索

发光半导体方法和装置

申请公布号：CN104201564A

申请号：CN201410346118.X

申请日期：2010.04.16

申请公布日期：2014.12.10

申请人：

伊利诺斯大学理事会;量子电镀光学系统有限公司

发明人：加布里埃尔·沃尔特;米尔顿·冯;尼克·小霍伦亚克;田汉威;吴曹新

分类号：H01S5/062(2006.01)I;B82Y20/00(2011.01)I

主分类号：H01S5/062(2006.01)I

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：张世俊

地址：美国伊利诺伊州

摘要：本申请涉及发光半导体方法和装置。一种用于产生表示高频电输入信号分量的高频光学信号分量的方法，其包括以下步骤：提供半导体晶体管结构，半导体晶体管结构包含位于第二半导体类型的半导体射极与集极区之间的第一半导体类型的基极区；在基极区中提供至少一个展现量子大小效应的区；提供分别与射极、基极和集极区耦合的射极、基极和集极电极；相对于射极、基极和集极电极施加包含高频电信号分量的电信号以通过量子大小区的辅助从基极区产生输出自发光发射，输出自发光发射包含表示高频电信号分量的高频光学信号分量；为基极与射极电极之间的区中的光发射提供光学腔；以及响应于高频电信号分量而缩放光学腔的横向尺寸以控制光发射的速度。

主权项：一种用于产生表示高频电输入信号分量的高频光学信号分量的方法，其包括以下步骤：提供半导体晶体管结构，所述半导体晶体管结构包含位于第二半导体类型的半导体射极与集极区之间的第一半导体类型的基极区；在所述基极区中提供至少一个展现量子大小效应的区；提供分别与所述射极、基极和集极区耦合的射极、基极和集极电极；相对于所述射极、基极和集极电极施加包含所述高频电信号分量的电信号以通过所述量子大小区的辅助从所述基极区产生输出自发光发射，所述输出自发光发射包含表示所述高频电信号分量的所述高频光学信号分量；为所述基极与射极电极之间的区中的所述光发射提供光学腔；以及响应于所述高频电信号分量而缩放所述光学腔的横向尺寸以控制光发射的速度。