开关电路和半导体存储装置,申请号CN201410010873.0-传众专利搜索

开关电路和半导体存储装置

申请公布号：CN104079281A

申请号：CN201410010873.0

申请日期：2014.01.09

申请公布日期：2014.10.01

申请人：

富士通半导体股份有限公司

发明人：加藤健太

分类号：H03K17/785(2006.01)I

主分类号：H03K17/785(2006.01)I

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：杜诚;王娜丽

地址：日本神奈川县横滨市

摘要：本发明涉及开关电路和半导体存储装置。开关电路包括：在半导体衬底中形成的第一阱和第二阱；第一晶体管，第一晶体管在其一端与第一节点相连接，并且该第一晶体管形成在所述第一阱中；第二晶体管，第二晶体管在其一端与所述第一节点的另一端相连接，第二晶体管在其另一端与第二节点相连接，并且该第二晶体管形成在所述第二阱中；以及电位控制电路，其在所述第二节点的电位低于所述第一节点的电位的状态下在包括所述第一晶体管和所述第二晶体管从关断转变到接通的时间段的预定时间段期间，将所述第二阱与所述第一节点相连接，并且在所述预定时间段之后将所述第二阱与所述第二节点相连接。

主权项：一种开关电路，包括：第一阱和第二阱，其形成在半导体衬底中；第一晶体管，所述第一晶体管在其一端与第一节点相连接，并且所述第一晶体管形成在所述第一阱中；第二晶体管，所述第二晶体管在其一端与所述第一节点的另一端相连接，所述第二晶体管在其另一端与第二节点相连接，并且所述第二晶体管形成在所述第二阱中；以及电位控制电路，其在所述第二节点的电位低于所述第一节点的电位的状态下，在包括所述第一晶体管和所述第二晶体管从关断转变到接通的时间段的预定时间段期间，将所述第二阱与所述第一节点相连接，并且在所述预定时间段之后将所述第二阱与所述第二节点相连接。