一种高熵混合氧化物电极材料及其制备方法
申请公布号:CN102509633B
申请号:CN201110336918.X
申请日期:2011.10.28
申请公布日期:2014.08.13
发明人:吴允苗
分类号:H01G9/042(2006.01)I
主分类号:H01G9/042(2006.01)I
代理人:戴中生
地址:362000 福建省泉州市丰泽区东海滨城
摘要:本发明公开了一种高熵混合氧化物电极材料及其制备方法,涉及氧化物材料和材料制备技术。所述高熵混合氧化物电极材料由金属导电基体和氧化物薄膜构成,所述的氧化物薄膜具有高熵结构,由氧化钌、氧化锰、氧化锡、氧化钽、氧化钴、氧化锆、氧化钛、氧化锑这8种氧化物组成的高熵混合氧化物薄膜。制备方法包括涂刷、烘干、热氧化处理、冷却步骤。该高熵混合氧化物电极材料具有很高的比电容,适合制备高性能超级电容器,另外,制备高熵混合氧化物电极材料的工艺简单、操作方便,适合规模化生产应用。
主权项:一种高熵混合氧化物电极材料,由金属导电基体和氧化物薄膜构成,其特征在于:所述的氧化物薄膜具有高熵结构,由氧化钌、氧化锰、氧化锡、氧化钽、氧化钴、氧化锆、氧化钛、氧化锑这8种氧化物组成的高熵混合氧化物薄膜;所述的高熵混合氧化物薄膜中含有:氧化钌10 mol%~40 mol%;氧化锰5 mol%~20 mol%、氧化锡5 mol%~20 mol%、氧化钽5 mol%~20 mol%、氧化钴5 mol%~20 mol%、氧化锆5 mol%~20 mol%、氧化钛5 mol%~20 mol%、氧化锑5 mol%~20 mol%。
INTERMITTENT STANDBY STATE MANAGEMENT SYSTEM
POWER GENERATION CONTROLLER OF VEHICLE
PAPER FEEDING MECHANISM, CONTROL METHOD FOR IT AND OFFICE EQUIPMENT
METHOD OF MANUFACTURING VERTICAL POWER SEMICONDUCTOR DEVICE
MEMORY CARD FOR DIGITAL CAMERA
MULTI-PIPE TYPE HEAT EXCHANGER AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
DATA TAMPERING PREVENTION APPARATUS AND PROGRAM THEREFOR
IMAGE PROCESSING DEVICE AND METHOD
SERVER SECURITY MANAGEMENT METHOD, DEVICE AND PROGRAM
IMAGE FORMING CARTRIDGE HAVING LEVEL INDICATOR
INSPECTION METHOD OF DEGREE OF ADHESION AND INSPECTION DEVICE
SUBSTRATE PLACEMENT MEMBER AND SUBSTRATE TREATMENT APPARATUS USING SAME
SILICONE COATING AGENTS, METHOD OF ITS PREPARATION AND ITS HARDENED MATERIAL