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一种高熵混合氧化物电极材料及其制备方法

申请公布号:CN102509633B

申请号:CN201110336918.X

申请日期:2011.10.28

申请公布日期:2014.08.13

申请人:
泉州师范学院

发明人:吴允苗

分类号:H01G9/042(2006.01)I

主分类号:H01G9/042(2006.01)I

代理机构:
泉州市文华专利代理有限公司 35205

代理人:戴中生

地址:362000 福建省泉州市丰泽区东海滨城

摘要:本发明公开了一种高熵混合氧化物电极材料及其制备方法,涉及氧化物材料和材料制备技术。所述高熵混合氧化物电极材料由金属导电基体和氧化物薄膜构成,所述的氧化物薄膜具有高熵结构,由氧化钌、氧化锰、氧化锡、氧化钽、氧化钴、氧化锆、氧化钛、氧化锑这8种氧化物组成的高熵混合氧化物薄膜。制备方法包括涂刷、烘干、热氧化处理、冷却步骤。该高熵混合氧化物电极材料具有很高的比电容,适合制备高性能超级电容器,另外,制备高熵混合氧化物电极材料的工艺简单、操作方便,适合规模化生产应用。

主权项:一种高熵混合氧化物电极材料,由金属导电基体和氧化物薄膜构成,其特征在于:所述的氧化物薄膜具有高熵结构,由氧化钌、氧化锰、氧化锡、氧化钽、氧化钴、氧化锆、氧化钛、氧化锑这8种氧化物组成的高熵混合氧化物薄膜;所述的高熵混合氧化物薄膜中含有:氧化钌10 mol%~40 mol%;氧化锰5 mol%~20 mol%、氧化锡5 mol%~20 mol%、氧化钽5 mol%~20 mol%、氧化钴5 mol%~20 mol%、氧化锆5 mol%~20 mol%、氧化钛5 mol%~20 mol%、氧化锑5 mol%~20 mol%。

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