晶体生长加热系统,申请号CN201210124235.2-传众专利搜索

晶体生长加热系统

申请公布号：CN103374758A

申请号：CN201210124235.2

申请日期：2012.04.25

申请公布日期：2013.10.30

申请人：

志圣科技(广州)有限公司

发明人：扈醒华;赖宗德;江鸿昭

分类号：C30B35/00(2006.01)I;G05D23/30(2006.01)I

主分类号：C30B35/00(2006.01)I

代理机构：

北京泰吉知识产权代理有限公司 11355

代理人：张雅军

地址：510850 广东省广州市花都区狮岭镇利和路6号

摘要：一种晶体生长加热系统，用于对一坩埚内的半导体材料加热，其包含一上加热装置、一温度感测器、一第一控制器、一侧加热装置及一第二控制器。温度感测器用以感测上加热装置的温度并产生一感测信号。第一控制器存储有一默认温度值，并根据感测信号调整上加热装置的温度趋近默认温度值。第二控制器接收一外部控制信号，并根据外部控制信号调整侧加热装置的温度。借由第二控制器根据外部控制信号调整侧加热装置的温度，并借由第一控制器根据感测信号调整上加热装置的温度，能有效提升晶体生长的良率及效率。

主权项：一种晶体生长加热系统，用于对一坩埚内的半导体材料加热；其特征在于：所述晶体生长加热系统包含：一上加热装置，设置于该坩埚上方以对该半导体材料加热；一温度感测器，用以感测该上加热装置的温度并产生一感测信号；一第一控制器，电连接于该上加热装置及该温度感测器，且存储有一默认温度值，并根据该感测信号调整该上加热装置的温度趋近该默认温度值；一侧加热装置，设置于该坩埚的一围绕壁外侧以对该半导体材料加热；及一第二控制器，电连接于该侧加热装置，且接收一外部控制信号，并根据该外部控制信号调整该侧加热装置的温度。