一种多阻态忆阻器,申请号CN201210348359.9-传众专利搜索

一种多阻态忆阻器

申请公布号：CN102832343A

申请号：CN201210348359.9

申请日期：2012.09.18

申请公布日期：2012.12.19

申请人：

北京大学

发明人：刘力锋;后羿;陈冰;李悦;于迪;高滨;韩德栋;王漪;康晋锋;张兴

分类号：H01L45/00(2006.01)I

主分类号：H01L45/00(2006.01)I

代理机构：

北京路浩知识产权代理有限公司 11002

代理人：王莹

地址：100871 北京市海淀区颐和园路5号

摘要：本发明提供了一种多阻态忆阻器，包括:自下而上依次生成的底电极层、阻变层、顶电极层，其中底电极层和顶电极层用于与外部电源进行电连接，阻变层用于实现多阻态之间的转换；使多阻态忆阻器工作在单、双极两种操作方式下，不同阻值间的变化由顶电极上所加电压激励的方向和大小控制；通过本发明解决了多值存储中多阻态的稳定性和一致性问题，满足了多值存储的需要。

主权项：一种多阻态忆阻器，其特征在于，包括:自下而上依次形成的底电极层、阻变层和顶电极层；其中，所述顶电极层和所述底电极层，用于与外部电源进行电连接；所述阻变层，用于实现多阻态之间的转换。