СПОСОБ РАЗРАБОТКИ НЕФТЯНОЙ ЗАЛЕЖИ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ГОРИЗОНТАЛЬНЫХ НАГНЕТАТЕЛЬНЫХ СКВАЖИН
申请公布号:RU2010151388(A)
申请号:RU20100151388
申请日期:2010.12.14
申请公布日期:2012.06.20
发明人:Файзуллин Илфат Нагимович (RU);Хуррямов Альфис Мансурович (RU);Рамазанов Рашит Газнавиевич (RU);Сулейманов Фарид Баширович (RU)
分类号:E21B43/20
主分类号:E21B43/20
摘要:Способ разработки нефтяной залежи с использованием горизонтальных нагнетательных скважин, включающий закачку рабочего агента через горизонтальные скважины, размещенные на участке разработки крестообразно со взаимно перпендикулярным расположением горизонтальных скважин в циклическом режиме с попеременной закачкой рабочего агента во взаимно перпендикулярные горизонтальные скважины и отбор нефти через вертикальные добывающие скважины, отличающийся тем, что закачку рабочего агента в горизонтальные нагнетательные скважины ведут с падающим объемом закачки, при этом периодически резко увеличивают объем закачки перед каждым периодом закачки, периодичность резкого увеличения объема и продолжительности периода падающей закачки определяют опытным путем для различных коллекторов по характеру роста обводненности добываемой продукции, причем по мере обводненности вертикальных добывающих скважин выше экономически рентабельной величины разработки нефтяной залежи из них пробуривают дополнительно наклонные стволы перпендикулярно ближайшей нагнетательной горизонтальной скважине и пускают их под нагнетание рабочего агента с сохранением цикличности режима нагнетания.
SILVER COMPLEX SALT DIFFUSION TRANSFER IMAGE RECEIVING MATERIAL
CORROSION RESISTANT THERMOCOUPLE
ROLL MATERIAL HAVING SUPERIOR SURFACE ROUGHENING RESISTANCE
STABILIZED THERMOPLASTIC RESIN COMPOSITION
PICTURE SIGNAL CONVERTING DEVICE
MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE
TRENCH ETCHING METHOD FOR SILICON SUBSTRATE