一种太阳能硅单晶片冷水冲洗方法
申请公布号:CN102339895A
申请号:CN201010237917.5
申请日期:2010.07.27
申请公布日期:2012.02.01
发明人:王玉明
分类号:H01L31/18(2006.01)I
主分类号:H01L31/18(2006.01)I
代理人:徐激波
地址:225600 江苏省高邮市甘垛镇工业集中区
摘要:本发明公开了一种太阳能硅单晶片冷水冲洗方法,该方法包括以下步骤:用下料车将待冲洗硅单晶片推进冲洗架卡口;打开喷淋水龙头,喷淋管有若干出水口水平向单晶喷淋,水温控制在14-18℃;冲淋40分钟后可扒片去胶。本发明相比较其他使用自动脱胶机的脱胶方式,大大降低了成品崩边率,节约人力、电耗、减少了环境污染。
主权项:一种太阳能硅单晶片冷水冲洗方法,其特征在于:该方法包括以下步骤:1)用下料车将待冲洗硅单晶片推进冲洗架卡口;2)打开喷淋水龙头,喷淋管有若干出水口水平向单晶喷淋,水温控制在14‑18℃;3)冲淋40分钟后可扒片去胶。