一种大直径低氧碳太阳能单晶硅片的制备方法,申请号CN200910027873.0-传众专利搜索

一种大直径低氧碳太阳能单晶硅片的制备方法

申请公布号：CN101892515A

申请号：CN200910027873.0

申请日期：2009.05.18

申请公布日期：2010.11.24

申请人：

扬州华尔光伏科技有限公司

发明人：陈宝昌

分类号：C30B15/00(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I;B28D5/00(2006.01)I

主分类号：C30B15/00(2006.01)I

代理机构：

南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204

代理人：柏尚春

地址：225600 江苏省高邮市甘垛镇工业集中区扬州华尔光伏科技有限公司

摘要：本发明提供了一种大直径低氧碳太阳能单晶硅片的制备方法，该方法突破了单晶硅片直径的限制，从目前的8英寸向12英寸发展；降低单晶硅片中氧碳元素的含量，提高单晶硅片的电学性能，该方法包括以下步骤：1、采用高纯多晶硅原料；2、使用高纯涂层石英坩埚，最大限度阻隔氧元素的析出渗入熔硅中反应生产新的杂质；3、在高纯氩气和高规格热场环境下生长硅单晶；4、采用直拉式单晶炉制备大直径硅单晶；5、对硅单晶进行切方、滚圆处理；6、采用碱腐工艺去除单晶表面损伤层；7、利用多线切割机，辅以切割线、碳化硅和切削液进行切片加工，生产出超过薄低氧碳的高效单晶硅片。

主权项：一种大直径低氧碳太阳能单晶硅片的制备方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：1、采用高纯多晶硅原料；2、使用高纯涂层石英坩埚，最大限度阻隔氧元素的析出渗入熔硅中反应生产新的杂质；3、在高纯氩气和高规格热场环境下生长硅单晶；4、采用直拉式单晶炉制备大直径硅单晶；5、对硅单晶进行切方、滚圆处理；6、采用碱腐工艺去除单晶表面损伤层；7、利用多线切割机，辅以切割线、碳化硅和切削液进行切片加工，生产出超过薄低氧碳的高效单晶硅片。