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Halbleitermodul

申请公布号:DE102009043441(A1)

申请号:DE20091043441

申请日期:2009.09.29

申请公布日期:2010.07.15

申请人:
MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION

发明人:ARAI, KIYOSHI;GOURAB, MAJUMDAR

分类号:H01L25/18;H01L29/739;H01L29/861

主分类号:H01L25/18

摘要:<p>Ein Halbleitermodul mit einem oder mehreren Siliziumcarbiddiodenelementen (8), die auf einem Schaltelement (5) angebracht sind, ist bereitgestellt, wobei der Temperaturanstieg verringert ist durch geeignetes Anordnen jedes der Diodenelemente auf dem Schaltelement, um dadurch einen Wärmeableitungspfad für die jeweiligen Diodenelemente bereitzustellen. Die jeweiligen Diodenelemente sind auf einem nichtzentralen Abschnitt des Schaltelements angeordnet, um die Ableitung der Wärme zu erleichtern, die von jedem der Diodenelemente erzeugt wird, wodurch der Temperaturanstieg in dem Halbleitermodul verringert ist.</p>

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