半导体发光装置及其制造方法,申请号CN200510115600.3-传众专利搜索

半导体发光装置及其制造方法

申请公布号：CN1773737B

申请号：CN200510115600.3

申请日期：2005.11.07

申请公布日期：2010.05.05

申请人：

松下电器产业株式会社

发明人：油利正昭

分类号：H01L33/00(2006.01)I

主分类号：H01L33/00(2006.01)I

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：季向冈

地址：日本大阪府

摘要：本发明公开了一种半导体发光装置及其制造方法。目的在于：防止在半导体发光装置中，在引线接合时产生的半导体发光元件的裂纹或缺损。特征在于，包括：支撑体104；夹着熔敷材料103固定在支撑体104上，具有第1电极及第2电极(102、106)，由至少含活性层的半导体层101构成的半导体发光元件；以及从支撑体104上面的没有半导体发光元件存在的部分之上，延伸形成到第1电极及第2电极(102、106)中的至少形成在半导体层101上面的一电极(106)为止的布线金属107。对一电极(106)的供电，是通过布线金属107进行的。

主权项：一种半导体发光装置，其特征在于：包括：支撑体；和半导体发光元件，由至少含活性层的半导体层构成，具有形成在上述半导体层的下面的第1电极和形成在上述半导体层的上面的第2电极，上述半导体发光元件的上述半导体层隔着上述第1电极被设置在上述支撑体上，以从上述支撑体上面的不存在上述半导体发光元件的部分之上延伸到上述第2电极的方式形成有布线金属；对上述第2电极的供电是通过上述布线金属进行的。