SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING PROJECTING ELECTRODE FORMED BY ELECTROLYTIC PLATING, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

申请公布号：KR100956229(B1)

申请号：KR20070113162

申请日期：2007.11.07

申请公布日期：2010.05.04

分类号：H01L21/60;H01L23/12;H01L23/48;H01L23/52

主分类号：H01L21/60

摘要：A semiconductor device includes a semiconductor substrate, and a plurality of wiring lines provided on one side of the semiconductor substrate, each of the wiring lines having a connection pad portion. An overcoat film is provided on the wiring lines and the one side of the semiconductor substrate. The overcoat film has a plurality of openings in parts corresponding to the connection pad portions of the wiring lines. A plurality of foundation metal layers are respectively provided on inner surfaces of the openings of the overcoat film and electrically connected to the pat portions of the wiring lines. A plurality of projecting electrodes are respectively provided on the foundation metal layers in the openings of the overcoat film.

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