SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE
申请公布号:JP2009278526(A)
申请号:JP20080129630
申请日期:2008.05.16
申请公布日期:2009.11.26
发明人:TAKEDA HIROYUKI
分类号:H03K19/0175;H04B3/04;H04L25/02
主分类号:H03K19/0175
摘要:<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To receive serial data while reducing errors in high speed transmission. Ž<P>SOLUTION: A PMOS transistor MP1 is supplied with an input signal VI at the gate thereof, grounds the drain thereof, connects the source thereof to a source of an NMOS transistor MN1, and outputs an output signal VO from the source. The NMOS transistor MN1 connects the drain thereof to a power source VDD, connects the gate thereof to the power source VDD via a resistor R, and connects the source thereof to the source of the PMOS transistor. Ž<P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT Ž
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