像素结构的制作方法,申请号CN200810137834.1-传众专利搜索

像素结构的制作方法

申请公布号：CN100557787C

申请号：CN200810137834.1

申请日期：2008.07.08

申请公布日期：2009.11.04

申请人：

友达光电股份有限公司

发明人：杨智钧;黄明远;林汉涂;石志鸿;廖达文;方国龙;蔡佳琪

分类号：H01L21/84(2006.01)I

主分类号：H01L21/84(2006.01)I

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司

代理人：陈晨

地址：中国台湾新竹市

摘要：一种像素结构的制作方法，其包括下列步骤。首先，于基板上形成栅极，并于基板上形成栅介电层以覆盖栅极。接着，于栅介电层上形成通道层，并于通道层上形成第二金属层。接着，于第二金属层上形成图案化光致抗蚀剂层，并以图案化光致抗蚀剂层为掩模移除部分的第二金属层，以于栅极两侧的通道层上形成源极与漏极，其中栅极、通道层、源极以及漏极构成薄膜晶体管。之后，于图案化光致抗蚀剂层、栅介电层以及薄膜晶体管上形成保护层。移除图案化光致抗蚀剂层，以使图案化光致抗蚀剂层上的保护层一并被移除，而形成图案化保护层，并暴露出漏极。接着，于图案化保护层与漏极上形成一像素电极。本发明可以简化工艺步骤并减少光掩模的制作成本。

主权项：1.一种像素结构的制作方法，包括：提供基板；形成栅极于该基板上；形成栅介电层于该基板上，以覆盖该栅极；形成通道层于该栅极上方的该栅介电层上；形成第二金属层于该通道层上；形成图案化光致抗蚀剂层于该第二金属层上，并以该图案化光致抗蚀剂层为掩模移除部分的该第二金属层，以于该栅极两侧的该通道层上形成源极以及漏极，其中该栅极、该通道层、该源极以及该漏极构成薄膜晶体管；形成保护层于该图案化光致抗蚀剂层、该栅介电层以及该薄膜晶体管上；移除该图案化光致抗蚀剂层，以使该图案化光致抗蚀剂层上的该保护层一并被移除，而形成图案化保护层，并暴露出该源极与该漏极；以及形成像素电极于该图案化保护层与该漏极上。