电子材料用Cu－Ni－Si－Co－Cr系铜合金及其制造方法,申请号CN200680009829.1-传众专利搜索

电子材料用Cu－Ni－Si－Co－Cr系铜合金及其制造方法

申请公布号：CN101151385A

申请号：CN200680009829.1

申请日期：2006.03.31

申请公布日期：2008.03.26

申请人：

日矿金属株式会社

发明人：江良尚彦;深町一彦;桑垣宽

分类号：C22C9/06(2006.01);C22F1/08(2006.01);C22F1/00(2006.01);H01L23/48(2006.01)

主分类号：C22C9/06(2006.01)

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：庞立志;李平英

地址：日本东京都

摘要：本发明提供强度和导电性极大提高、具有优异特性的电子材料用Cu－Ni－Si－Co－Cr系铜合金。该电子材料用Cu－Ni－Si－Co－Cr系铜合金的特征是含有Ni：约0.5～约2.5质量％、Co：约0.5～约2.5质量％、和Si：约0.30～约1.2质量％，Cr：约0.09～约0.5质量％，其余部分由Cu和不可避免的杂质构成，该合金组成中的Ni和Co的合计量相对于Si的质量浓度比为：约4≤[Ni+Co]/Si≤约5，该合金组成中的Ni和Co的质量浓度比为：约0.5≤Ni/Co≤约2，对于分散在材料中的大小为1μm以上的夹杂物的个数(P)、其中的含碳浓度为10质量％以上的夹杂物的个数(Pc)，Pc约为15个/1000μm<SUP>2</SUP>以下，且其比Pc/P≤约0.3以下。

主权项：1.电子材料用Cu-Ni-Si-Co-Cr系铜合金，其特征是含有Ni：约0.5～约2.5质量％、Co：约0.5～约2.5质量％、和Si：约0.30～约1.2质量％、Cr：约0.09～约0.5质量％，其余部分由Cu和不可避免的杂质构成，该合金组成中的Ni和Co的合计量相对于Si的质量浓度比([Ni+Co]/Si比)为：约4≤[Ni+Co]/Si≤约5，该合金组成中的Ni和Co的质量浓度比(Ni/Co比)为：约0.5≤Ni/Co≤约2，对于分散在材料中的大小为1μm以上的夹杂物的个数(P)，其中的含碳浓度为10质量％以上的夹杂物的个数(Pc)，Pc为约15个/1000μm2以下，且其比(Pc/P)为约0.3以下。