半导体器件及其制造方法,申请号CN200710138444.1-传众专利搜索

半导体器件及其制造方法

申请公布号：CN101101916A

申请号：CN200710138444.1

申请日期：2001.09.14

申请公布日期：2008.01.09

申请人：

株式会社半导体能源研究所

发明人：石川明

分类号：H01L27/12(2006.01);H01L23/522(2006.01);G02F1/1368(2006.01)

主分类号：H01L27/12(2006.01)

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：曾祥夌;王小衡

地址：日本神奈川县厚木市

摘要：提供实现一种具有柔性的有源矩阵显示器件的方法。此外，提供一种用于减小形成于不同层的布线之间的寄生电容的方法。在通过粘结把第二衬底固定到形成于第一衬底上的薄膜器件以后，除去第一衬底，并且在薄膜器件中形成布线等。接着，除去第二衬底，形成具有柔性的有源矩阵显示器件。此外，可以通过在去除第一衬底以后在有源层上不形成栅电极的一侧形成布线来减小寄生电容。

主权项：1.一种半导体器件，包括：第一薄膜器件；在所述第一薄膜器件上的第二薄膜器件；每个所述第一和第二薄膜器件分别包括：第一绝缘膜；在所述第一绝缘膜上的第一电极；在所述第一电极上的第二绝缘膜；在所述第二绝缘膜上的第一和第二薄膜晶体管，其中所述第一薄膜晶体管穿过一个第一接触孔连接到所述第一电极；在所述第一和第二薄膜晶体管上的第三绝缘膜；在所述第三绝缘膜上的第二电极，其中所述第二电极穿过一个第二接触孔连接到所述第二薄膜晶体管；和在所述第三绝缘膜和第二电极上的第四绝缘膜；其中所述第一薄膜器件的第二电极与所述第二薄膜器件的第一电极电连接。