Lateral power diodes
申请公布号:US2005280114(A1)
申请号:US20040859567
申请日期:2004.06.03
申请公布日期:2005.12.22
发明人:SINGH RANBIR
分类号:H01L27/08;H01L27/095;H01L29/06;H01L29/20;H01L29/24;H01L29/861;(IPC1-7):H01L27/095
主分类号:H01L27/08
摘要:A lateral power diodes with an optimal drift doping formed in widebandgap semiconductors like Silicon Carbide, Aluminum Nitride and Gallium Nitride and Diamond are provided with a voltage rating greater 200V. Contrary to conventional vertical design of power diodes, a higher, optimum doping for a given thickness is critical in supporting higher anode/cathode blocking voltage, and lower on-resistance than vertical drift region designs. The backside contact and the anode junction must be able to support the rated blocking voltage of the device.
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