薄膜晶体管液晶显示器制造方法,申请号CN200310115870.5-传众专利搜索

薄膜晶体管液晶显示器制造方法

申请公布号：CN1553269A

申请号：CN200310115870.5

申请日期：2003.12.03

申请公布日期：2004.12.08

申请人：

吉林北方彩晶数码电子有限公司

发明人：邵喜斌;林鸿涛;于春崎;王丽娟;郭睿;侯旭峰;汪梅林

分类号：G02F1/136;H01L21/02

主分类号：G02F1/136

代理机构：

吉林长春新纪元专利代理有限责任公司

代理人：赵正

地址：130031吉林省长春市东南湖大路38号

摘要：一种薄膜晶体管液晶显示器的制造方法，涉及一种薄膜晶体管液晶显示器(thin film transistor liquid crystaldisplay TFT－LCD)的制造。提供一玻璃基板，在基板表面形成第一层金属层并制作栅电极和扫描线。依序淀积两层栅绝缘层，栅绝缘层上淀积－半导体层，再依序淀积生长两层阻挡层，并限定两层阻挡层图形。在阻挡层上淀积掺杂半导体层、第二层金属层并刻蚀，再分别依序淀积两层钝化层并刻蚀形成接触孔结构。淀积－透明导电层，并限定像素电极图形。利用本发明技术，可有效的控制成膜的质量及膜质层次的疏密程度，形成良好的成膜界面。用简单的刻蚀方法刻蚀，具有良好的坡度角。保证可靠的绝缘性能和稳定的TFT电学性能，易刻蚀理想的图形。

主权项：1.一种薄膜晶体管液晶显示器的制造方法，包括：提供一玻璃基板，在基板上形成栅电极；在基板及栅电极上依序淀积栅绝缘层、半导体层、阻挡层，并限定阻挡层图形；在阻挡层上淀积掺杂半导体层、第二层金属层并刻蚀，形成欧姆接触层及源电极、漏电极；再分别淀积钝化层并刻蚀形成接触孔结构；淀积-透明导电层，并限定像素电极图形；其特征在于：所述的栅绝缘层、阻挡层、钝化层分别采用多层结构，分层淀积生长成膜技术。