具有轻度掺杂漏极区的薄膜晶体管结构及其制造方法,申请号CN03106856.1-传众专利搜索

具有轻度掺杂漏极区的薄膜晶体管结构及其制造方法

申请公布号：CN1527404A

申请号：CN03106856.1

申请日期：2003.03.05

申请公布日期：2004.09.08

申请人：

统宝光电股份有限公司

发明人：石安;孟昭宇;郭文源

分类号：H01L29/786;G02F1/136;H01L21/336

主分类号：H01L29/786

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：李晓舒;魏晓刚

地址：台湾省新竹科学工业区苗栗县

摘要：本发明公开了一种用于平面显示器的薄膜晶体管结构及其制造方法，该结构包括：设置于该平面显示器的驱动电路区中的第一薄膜晶体管，其栅极导体结构的长度等于或大于其轻度掺杂漏极区域的长度加上沟道区域的长度；以及设置于该平面显示器的有源矩阵区中的第二薄膜晶体管，其栅极导体结构的长度约等于其沟道区域的长度。

主权项：1.一种薄膜晶体管结构，其应用于一平面显示器上，其包括：一第一薄膜晶体管，设置于该平面显示器的一驱动电路区域，该第一薄膜晶体管的栅极导体结构的长度等于或大于其轻度掺杂漏极区域的长度加上沟道区域的长度；以及一第二薄膜晶体管，设置于该平面显示器的一有源矩阵区域，该第二薄膜晶体管的栅极导体结构的长度约等于其沟道区域的长度。