半导体集成电路器件的制造方法,申请号CN03104454.9-传众专利搜索

半导体集成电路器件的制造方法

申请公布号：CN1438685A

申请号：CN03104454.9

申请日期：2003.02.14

申请公布日期：2003.08.27

申请人：

株式会社日立制作所;株式会社东日本半导体技术

发明人：仓富文司;清水福美;井村健一;並木胜重;村上文夫

分类号：H01L21/56;H01L21/50

主分类号：H01L21/56

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：王永刚

地址：日本东京

摘要：在半导体集成电路器件的制造过程中，当进行矩阵框架的树脂模塑时，预定量的空气被馈送到第一行中的各个第一空腔和第二行中的各个第二空腔中，第一和第二空腔被制作在压模的下模具中，呈矩阵排列，以便对空腔的内部加压，并以在所有空腔中密封树脂的装载速度变得相等的方式，将密封树脂装载到各个空腔中，从而能够稳定得到的产品的质量。

主权项：1.一种制造半导体集成电路器件的方法，它包含下列步骤：(a)提供引线框，其上多个器件制作区被排列成矩阵形式，各个器件制作区具有芯片安装部分和多个引线；(b)将半导体芯片分别安装到引线框的芯片安装部分上；(c)将其上安装有半导体芯片的引线框置于压模的模具表面上，此模具表面包括多个空腔，从而封闭压模；(d)对矩阵空腔的内部加压，并将密封树脂装载到这样被加压的各个空腔中；以及(e)在步骤(d)之后，将引线框分割成单个器件制作区。