金属氧化膜电阻器及其制造工艺,申请号CN99113964.X-传众专利搜索

金属氧化膜电阻器及其制造工艺

申请公布号：CN1099682C

申请号：CN99113964.X

申请日期：1999.08.06

申请公布日期：2003.01.22

申请人：

上海交通大学

发明人：吴建生;毛大立;王家敏

分类号：H01C7/00;C23C14/34

主分类号：H01C7/00

代理机构：

上海交达专利事务所

代理人：毛翠莹;罗荫培

地址：200030上海市华山路1954号

摘要：一种金属氧化膜电阻器及其制造工艺，采用含镧系和锕系稀土元素的Si-Cr-Ni-Re四元合金体系高阻溅射靶材为原材料，具体成份为Si(35％-72％)、Cr(25％-50％)、Ni(2％-20％)，稀土元素含量为三元素总重量的0.1％-3.0％，采用直流溅射辅以离子电源加射频溅射工艺，得到独特的双层膜结构电阻体，直流溅射和射频溅射气体采用不同体积百分比的氩气和氧气混合物。本发明制成的电阻器性能稳定、精密度高，适合精密型电子元器件的要求。

主权项：1、一种金属氧化膜电阻器的制造工艺，其特征在于包括如下步骤： 1)采用含稀土元素的Si-Cr-Ni-Re四元合金体系高阻溅射靶材为原材料，靶材具体成份的重量百分比为Si：35％-72％、Cr：25％-50％、Ni：2％-20％， Si、Cr和Ni元素总百分比为100％，稀土元素为镧系和锕系稀土混合物，含量为Si、Cr和Ni三元素总重量的0.1％-3.0％； 2)进行直流溅射，溅射前工作室预真空在5×10-3pa以上，直流溅射气体为氩气和氧气的混合体，Ar和O2的体积百分比为9.0～9.5∶1～0.5，流量为 50sccm，直流溅射气压为1.0～3.0×10-1Pa，溅射功率为200-450W，时间为20-200分钟，离子电源的位置与靶材被溅射面平行，其功率为200W； 3)进行射频溅射：工作气体为氩气和氧气的混合物，Ar和O2的体积百分比为9∶1，溅射气压为1.0-3.0×10-1Pa，功率为500W，时间为10-20分钟，得到电阻器的毛坯电阻体； 4)热处理：温度为300℃-500℃； 5)经涂漆、压帽、焊引线、刻槽及涂外漆后道工序，得到具有双层膜结构的成品电阻器。