液晶装置及电子机器,申请号TW088101318-传众专利搜索

液晶装置及电子机器

申请公布号：TW451097

申请号：TW088101318

申请日期：1999.01.28

申请公布日期：2001.08.21

申请人：

精工爱普生股份有限公司

发明人：前田强;冈本英司;关琢巳;奥村治

分类号：G02F1/133

主分类号：G02F1/133

代理人：林志刚台北巿南京东路二段一二五号七楼

地址：日本

摘要：在暗环境下，点亮背光15，则由导光板15b表面发出之白色光通过偏光板12、相位差板14射入液晶格内部，通过反射电极7之开口部导入液晶层3内。导入液晶层3内之光通过滤光片5导出液晶格之外，依序通过相位差板13、偏光板ll射至外部。在亮环境下，由偏光板ll射入之光通过液晶层3后，于反射电极7反射，再通过偏光板ll射出外部。

主权项：1.一种液晶装置,其特征为具有:透明之一对第1及第2基板;挟持于该第1及第2基板间的液晶层;形成于上述第1基板之上述液晶层侧之面的透明电极;形成于上述第2基板之上述液晶层侧之面,且开设有长方形裂口的反射电极;及配置于上述第2基板之上述液晶层之相反侧的照明装置。2.如申请专利范围第1项之液晶装置,其中上述反射电极,系以特定间隙形成为多数个线状,上述裂口系向上述反射电极之长边方向延伸。3.如申请专利范围第2项之液晶装置,其中上述透明电极,在与上述反射电极交叉之方向以特定间隙形成多数线状,上述裂口,系延伸至上述透明电极之间隙而对之位置。4.如申请专利范围第2项之液晶装置,其中上述裂口,系横跨多数画素而延伸。5.如申请专利范围第4项之液晶装置,其中上述裂口,系延伸至画像显示领域外。6.如申请专利范围第2项之液晶装置,其中上述裂口之宽与上述反射电极之间隙系略相等。7.如申请专利范围第1项之液晶装置,其中上述裂口之宽为4m以下。8.如申请专利范围第1项之液晶装置,其中以上述透明电极和上述反射电极之略中心位置之液晶分子之配向方向,与上述裂口之长边方向间之交叉角度为时,-60≦≦60。9.如申请专利范围第1项之液晶装置,其中以上述反射电极近傍之液晶分子之配向方向,与上述裂口之长边方向间之交叉角度为时,-30≦≦30。10.如申请专利范围第1项之液晶装置,其中非驱动时为暗(黑)状态。11.如申请专利范围第1项之液晶装置,其中在上述第1基板之上述液晶层侧之面与上述第2基板之上述液晶层侧之面之中至少一面形成遮光层,俾至少部分覆盖上述反射电极之间隙。12.如申请专利范围第1项之液晶装置,其中另具有:配置于上述第1基板之上述液晶层之相反侧的第1偏光板,及配置于上述第1基板与第1偏光板之间的至少1片第1相位差板。13.如申请专利范围第1项之液晶装置,其中另具有:配置于上述第2基板与照射装置间的第2偏光板;及配置于上述第2基板与第2偏光板间的至少1片第2相位差板。14.如申请专利范围第1项之液晶装置,其中上述反射电极,系含有95重量%以上之A1,且层厚为10nm以上40nm以下。15.如申请专利范围第1项之液晶装置,其中在上述反射电极与第1基板之间,另具有滤光片。16.如申请专利范围第1项之液晶装置,其中在上述第1基板之上述液晶层之相反侧,另具有散乱板。17.如申请专利范围第1项之液晶装置,其中上述反射电极具有凹凸。18.如申请专利范围第1项之液晶装置,其中上述反射电极,系由反射层与透明电极层间之积层体构成。19.具有如申请专利范围第1项所述之液晶装置的电子机器。20.一种液晶装置,其特征为具有:透明之一对第1及第2基板;挟持于该第1及第2基板间的液晶层;形成于上述第1基板之上述液晶层侧之面的透明电极;由形成于上述第2基板之上述液晶层侧之面的半透过反射层所成之反射电极;配置于上述第2基板之上述液晶层之相反侧的照明装置;配置于上述第1基板之上述液晶层之相反侧的第1偏光板;配置于上述第1基板与第1偏光板之间的至少1片第1相位差板;配置于上述第2基板与照明装置之间的第2偏光板;及配置于上述第2基板与第2偏光板之间的至少1片第2相位差板。21.如申请专利范围第20项之液晶装置,其中非驱动时为暗(黑)状态。22.如申请专利范围第20项之液晶装置,其中在上述第1基板之上述液晶层侧之面与上述第2基板之上述液晶层侧之面之中至少一面形成遮光层,俾至少部分覆盖上述反射电极之间隙。23.如申请专利范围第20项之液晶装置,其中上述反射电极,系含有95重量%以上之A1,且层厚为10nm以上40nm以下。24.如申请专利范围第20项之液晶装置,其中在上述反射电极与第1基板之间,另具有滤光片。25.如申请专利范围第20项之液晶装置,其中在上述第1基板之上述液晶层之相反侧,另具有散乱板。26.如申请专利范围第20项之液晶装置,其中上述反射电极具有凹凸。27.如申请专利范围第20项之液晶装置,其中上述反射电极,系由反射层与透明电极层间之积层体构成。28.具有如申请专利范围第20项所述之液晶装置的电子机器。29.一种液晶装置,其特征为具有:透明之一对第1及第2基板;挟持于该第1及第2基板间的液晶层;在上述第2基板之上述液晶层侧之面相互隔开特定间隙以多数形成的反射电极;在上述第1基板之上述液晶层侧之面,形成于上述反射电极之对向位置及上述反射电极之间隙之对向位置的透明电极;及配置于上述第2基板之上述液晶层之相反侧的照明装置。30.如申请专利范围第29项之液晶装置,其中上述反射电极系以形成为多数之长边状,假设上述透明电极和上述反射电极之大略中心位置之液晶分子之配向方向,与上述反射电极之长边方向间之交叉角度为时,具备-60≦≦60之关系。31.如申请专利范围第29项之液晶装置,其中以上述反射电极近傍之液晶分子之配向方向,与上述反射电极之长边方向间之交叉角度为时,-30≦≦30。32.如申请专利范围第29项之液晶装置,其中另具有:配置于上述第1基板之上述液晶层之相反侧的第1偏光板,及配置于上述第1基板与第1偏光板之间的至少1片第1相位差板。33.如申请专利范围第29项之液晶装置,其中另具有:配置于上述第2基板与照射装置间的第2偏光板;及配置于上述第2基板与第2偏光板间的至少1片第2相位差板。34.如申请专利范围第29项之液晶装置,其中上述反射电极,系含有95重量%以上之A1,且层厚为10nm以上40nm以下。35.如申请专利范围第29项之液晶装置,其中在上述反射电极与第1基板之间,另具有滤光片。36.如申请专利范围第29项之液晶装置,其中在上述第1基板之上述液晶层之相反侧,另具有散乱板。37.如申请专利范围第29项之液晶装置,其中上述反射电极具有凹凸。38.如申请专利范围第29项之液晶装置,其中上述反射电极,系由反射层与透明电极层间之积层体构成。39.具有如申请专利范围第29项所述之液晶装置的电子机器。40.一种液晶装置,其特征为具有:半透过反射型液晶面板,其具备有,透明之一对第1及第2基板,挟持于该第1及第2基板间的液晶层,形成于上述第1基板之上述液晶层侧之面的透明电极,由形成于上述第2基板之上述液晶层侧之面之半透过反射层所成反射电极,及配置于上述第2基板之上述液晶层之相反侧的照明装置;及驱动上述透明电极及反射电极的驱动装置;该液晶面板,非驱动时为暗(黑)状态。41.如申请专利范围第40项之液晶装置,其中上述液晶面板另具有:配置于上述第1基板之上述液晶层之相反侧的第1偏光板,及配置于上述第1基板与第1偏光板之间的至少1片第1相位差板。42.如申请专利范围第40项之液晶装置,其中上述液晶面板另具有:配置于上述第2基板与照射装置间的第2偏光板;及配置于上述第2基板与第2偏光板间的至少1片第2相位差板。43.如申请专利范围第40项之液晶装置,其中上述反射电极,系含有95重量%以上之A1,且层厚为10nm以上40nm以下。44.如申请专利范围第40项之液晶装置,其中上述之液晶面板系在上述反射电极与第1基板之间,另具有滤光片。45.如申请专利范围第40项之液晶装置,其中上述液晶面板系在上述第1基板之上述液晶层之相反侧,另具有散乱板。46.如申请专利范围第40项之液晶装置,其中上述反射电极具有凹凸。47.如申请专利范围第40项之液晶装置,其中上述反射电极,系由反射层与透明电极层间之积层体构成。48.具有如申请专利范围第40项所述之液晶装置的电子机器。图式简单说明:第一图a:本发明液晶装置之第1及第2实施例之概略构造之纵断面图。第一图b:第1及第2实施例之概略构造之概略平面图。第二图:第2实施例之偏光板、相位差板及液晶格之磨擦方向之关系图及该时之液晶装置之驱动电压一反射率R/透过率T特性图。第三图:本发明液晶装置之第3实施例中之第2透明基板上之概略构造之扩大断面图。第四图:本发明液晶装置之第4实施例中之概略构造之纵断面图。第五图a:本发明液晶装置之第5实施例中之概略构造之纵断面图。第五图b:本发明液晶装置之第5实施例中之概略构造之平面图。第六图:本发明液晶装置之第6实施例中之设有裂口之反射电极之一例之平面图。第七图:第6实施例中之设有裂口之反射电极之另一例之平面图。第八图:第6实施例中之设有裂口之反射电极之另一例之平面图。第九图:第6实施例中之设有裂口之反射电极之另一例之平面图。第十图:第6实施例中之设有裂口之反射电极之另一例之平面图。第十一图:第6实施例中之设有裂口之反射电极之另一例之平面图。第十二图:第6实施例中之设有裂口之反射电极之另一例之平面图。第十三图:本发明液晶装置之第7及第9实施例中之基板间中央部液晶之配向方向之说明图。第十四图:本发明液晶装置之第2实施例之构造之纵断面图。第十五图:第8实施例中之反射电极之具体构成例之平面图。第十六图:第8实施例中之反射电极之具体构成例之平面图。第十七图:第8实施例中之反射电极之具体构成例之平面图。第十八图:第8实施例中之反射电极之变形例之平面图。第十九图:本发明第9实施例中度变化时之反射型显示对比及透过型显示对比之图素。第二十图:本发明第9实施例中度变化时之反射型显示对比及透过型显示对比之图素。第二十一图a:本发明第10实施例之TFD驱动元件及画素电极等之模式表示之平面图。第二十一图b:第二十一图之B-B'断面图。第二十二图:第10实施例中之液晶元件及驱动电路之表示之等效电路图。第二十三图:第10实施例中之液晶元件之模式表示之部分截断斜视图。第二十四图:本发明第11实施例之液晶装置之画素领域之构成矩阵状之多数画素中各种元件、配线等之等效电路。第二十五图:第11实施例中之形成有资料线、扫描线、画素电极等之透明基板之相邻接之多数画素群之平面图。第二十六图:第二十五图之C-C'断面图。第二十七图:第1-第5实施例中之滤光片着色层之光透过率之图。第二十八图:本发明第12实施例之各种电子机器之概略斜视图。