DRAM cell with two MOS transistors,申请号EP20000126788-传众专利搜索

DRAM cell with two MOS transistors

申请公布号：EP1111682(A2)

申请号：EP20000126788

申请日期：2000.12.06

申请公布日期：2001.06.27

申请人：

INFINEON TECHNOLOGIES AG

发明人：HOFMANN, FRANZ;KRAUTSCHNEIDER, WOLFGANG;SCHLOESSER, TILL

分类号：H01L21/8242;H01L27/108;(IPC1-7):H01L27/108;H01L21/824

主分类号：H01L21/8242

摘要：<p>Integrierte dynamische Speicherzelle (1) mit geringer Ausbreitungsfläche auf einem Halbleitersubstrat, die einen Auswahl-MOSFET (2) mit einem Gatenanschluss-Bereich (8, 33), der mit einer Wortleitung WL verbunden ist, einem Sourceanschluss-Dotierungsbereich (9, 26), der mit einer Bitleitung BL verbunden ist, und mit einem Drainanschluss-Dotierungsbereich (11, 27) und einen Speicher-MOSFET (3) mit einem Gateanschluss-Bereich (15, 32), der über eine dünne dielektrische Schicht (35) an ein Verbindungs-Dotierungsgebiet (12, 27) angeschlossen ist, welches einen Sourceanschluss-Dotierungsbereich (13) des Speicher-MOSFETs (3) mit dem Drainanschluss-Dotierungsbereich (11) des Auswahl-MOSFETs (2) verbindet, und mit einem Drainanschluss-Dotierungsbereich (14, 24), der an eine Versorgungsspannung VDD anliegt, aufweist, wobei der Auswahl-MOSFET (2) und der Speicher-MOSFET (3) in einem in das Halbleitersubstrat geätzten Graben (21) an den Seitenwänden (28, 29) des Grabens (21) derart angeordnet sind, dass sie einander gegenüberliegen und das Verbindungs-Dotierungsgebiet (27) den Boden des geätzten Grabens (21) bildet. <IMAGE> <IMAGE></p>