Verfahren zum Herstellen eines Feldeffekttransistorelementes

申请公布号：DE1564106(A1)

申请号：DE19661564106

申请日期：1966.01.14

申请公布日期：1970.01.15

申请人：

DEUTSCHE ITT INDUSTRIES GMBH

发明人：AUGUSTINE MCKEOWN,PATRICK JOSEPH

分类号：H01L21/00;H01L21/761;H01L23/29;H01L23/485;H01L29/00

主分类号：H01L21/00

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