用于操作CMOS图像传感器的方法,申请号CN01102883.1-传众专利搜索

用于操作CMOS图像传感器的方法

申请公布号：CN1212003C

申请号：CN01102883.1

申请日期：2001.02.21

申请公布日期：2005.07.20

申请人：

阿苏拉布股份有限公司

发明人：S·劳克斯特尔曼;S·谭纳;J·格鲁普

分类号：H04N5/225;H01L27/146

主分类号：H04N5/225

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：陈霁;梁永

地址：瑞士比安

摘要：本发明涉及一种用于操作CMOS图像传感器的方法，所述图像传感器包括被设置在多个行和列中的像素阵列(50)，所述每个像素(50)包括和其照度成比例地积聚电荷载体的光传感器元件(PD)和能够在确定的时刻和所述光传感器元件(PD)相连以便产生代表由所述光传感器(PD)积聚的所述电荷载体的采样信号的存储装置(C1，55)，所述存储装置(C1，55)旨在保证为了读出所述采样信号而进行存储。

主权项：1.一种用于操作CMOS图像传感器的方法，所述图像传感器包括被设置在多个行和列中的像素阵列(50)，所述每个像素(50)包括和其照度成比例地积聚电荷载体的光传感器元件(PD)、耦合装置(A1，M2)和能够在确定的时刻通过所述耦合装置(A1，M2)耦合到所述光传感器元件(PD)以便产生代表由所述光传感器(PD)积聚的所述电荷载体的采样信号的存储装置(C1，55)，所述存储装置(C1，55)旨在保证为了读出所述采样信号而进行存储，其特征在于所述方法包括：第一阶段(A)或初始化阶段，在此阶段期间所述光传感器元件(PD)和所述存储装置(C1，55)以确定的初始化电压被初始化；第二阶段(B)或曝光阶段，在此阶段期间所述光传感器元件(PD)被从所述初始化电压释放，并产生和其照度成比例的电荷载体，所述光传感器元件(PD)和所述存储装置(C1，55)通过所述耦合装置(A1，M2)彼此解除连接；第三阶段(C)或采样阶段，在此阶段期间，通过所述耦合装置(A1，M2)将所述光传感器元件(PD)耦合到所述存储装置(C1，55)来产生所述采样信号并且将所述采样信号存储在所述存储装置(C1，55)中；第四阶段(D)或读出阶段，在此阶段期间，读出存储在所述存储装置(C1，55)中的所述采样信号，所述光传感器元件(PD)和所述存储装置(C1，55)通过所述耦合装置(A1，M2)彼此解除连接；并且，其中在第四阶段(D)期间，所述光传感器元件(PD)被保持在这样一个电压下，使得由所述光传感器元件(PD)产生的任何电荷载体被耗尽，因而不会干扰被存储在所述存储装置(C1)上的所述采样信号。