PROCEDE DE FABRICATION DE TRANSISTORS SOI POUR UNE DENSITE D'INTEGRATION ACCRUE,申请号FR20150053376-传众专利搜索

PROCEDE DE FABRICATION DE TRANSISTORS SOI POUR UNE DENSITE D'INTEGRATION ACCRUE

申请公布号：FR3035265(A1)

申请号：FR20150053376

申请日期：2015.04.16

申请公布日期：2016.10.21

申请人：

COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES

发明人：ANDRIEU FRANCOIS;RIDEAU DENIS

分类号：H01L21/336;H01L29/78

主分类号：H01L21/336

摘要：L'invention propose un procédé de fabrication de transistors à effet de champ, comprenant les étapes de : -fourniture de : -une première bande de matériau semi-conducteur (93) surmontée par une première couche de matériau semi-conducteur (101) ; -une deuxième bande de matériau semi-conducteur (93) surmontée par une deuxième couche de matériau semi-conducteur ; -une couche isolante enterrée (92) ; -une tranchée d'isolation profonde traversant ladite couche isolante enterrée et isolant ladite première bande de matériau semi-conducteur de ladite deuxième bande de matériau semi-conducteur ; -gravure de la première bande de matériau semi-conducteur (101) de façon à former une première rangée d'ilots semi-conducteurs, et gravure de la deuxième bande de matériau semi-conducteur de façon à former une deuxième rangée d'ilots semi-conducteurs. -former des grilles sacrificielles sur ladite première couche de matériau semi-conducteur (101) et sur ladite deuxième couche de matériau semi-conducteur .