膜厚测定方法及膜厚测定装置,申请号TW092100763-传众专利搜索

膜厚测定方法及膜厚测定装置

申请公布号：TW200302342

申请号：TW092100763

申请日期：2003.01.15

申请公布日期：2003.08.01

申请人：

NEC电子股份有限公司

发明人：山田惠三;板垣洋辅;牛木健雄

分类号：G01B7/06

主分类号：G01B7/06

代理人：洪澄文

地址：日本

摘要：一种膜厚测定装置，使第一及第二能量之电子束照射在需测量且形成在基板上之一薄膜，当基板被具有一第一能量之一第一电子束所照射，测量流入基板之电流的第一基板电流值，以及当基板被具有一第二能量之一第二电子束所照射，测量流入基板之电流的第二基板电流值。膜厚测定装置取得参考资料，上述参考资料显示膜厚与参考函数之间的关系，其中该参考函数为变量，包括第一基板电流值，当具有第一能量之第一电子束照射在一标准样品之薄膜，以及第二基板电流值，当具有第二能量之第二电子束照射在该标准样品之薄膜，且根据该第一测试基板电流值与该第二测试基板电流值，并参考该参考资料，计算出需测量之膜厚。