低成本超结功率场效应管的制备方法,申请号CN201610778637.2-传众专利搜索

低成本超结功率场效应管的制备方法

申请公布号：CN106252235A

申请号：CN201610778637.2

申请日期：2016.08.30

申请公布日期：2016.12.21

申请人：

西安龙腾新能源科技发展有限公司

发明人：周宏伟;张园园;任文珍;徐永年;徐西昌

分类号：H01L21/336(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I

主分类号：H01L21/336(2006.01)I

代理机构：

西安新思维专利商标事务所有限公司 61114

代理人：李罡

地址：710021 陕西省西安市凤城十二路1号出口加工区

摘要：本发明实施例提供一种低成本超结功率场效应管的制备方法，该制备方法通过以下步骤实现：步骤一：在N+衬底上生长N‑外延层;步骤二：通过body光刻版注入体区，然后进行推阱;步骤三：深沟槽的刻蚀和p型EPI的回填，并进行CMP工艺将沟槽外的p型EPI去掉，形成p‑pillar;步骤四：进行栅氧、多晶硅栅极的生长和回刻;步骤五：Nsource注入并推阱；步骤六：进行层间介质（ILD）的淀积；步骤七：电极光刻，孔注；步骤八：源极金属的淀积和光刻，形成器件的最终结构。本发明省掉了有源区这块光刻版，不长厚场氧，同时器件击穿特性不受影响，因此降低了超结功率场效应管的制造成本。

主权项：一种低成本超结功率场效应管的制备方法，其特征在于，该制备方法通过以下步骤实现：步骤一：在N+衬底上生长N‑外延层;步骤二：通过body光刻版注入体区，然后进行推阱;步骤三：深沟槽的刻蚀和p型EPI的回填，并进行CMP工艺将沟槽外的p型EPI去掉，形成p‑pillar;步骤四：进行栅氧、多晶硅栅极的生长和回刻;步骤五：Nsource注入并推阱；步骤六：进行层间介质（ILD）的淀积；步骤七：电极光刻，孔注；步骤八：源极金属的淀积和光刻，形成器件的最终结构。