Semiconductor device having multi work function gate patterns,申请号KR20150079367-传众专利搜索

Semiconductor device having multi work function gate patterns

申请公布号：KR20160143160(A)

申请号：KR20150079367

申请日期：2015.06.04

申请公布日期：2016.12.14

申请人：

삼성전자주식회사

发明人：박문규;나훈주;송재열;현상진

分类号：H01L21/8238

主分类号：H01L21/8238

摘要：제1 도전형 채널 상의 제1 영역 및 제2 영역을 갖는 반도체 기판 및 상기 제1 영역 및 제2 영역 상의 제1 게이트 패턴 및 제2 게이트 패턴을 포함하고, 상기 제1 게이트 패턴은 상기 제1 영역 상의 제1 게이트 절연 패턴, 상기 제1 게이트 절연 패턴 상의 제1 게이트 배리어 패턴, 및 상기 제1 게이트 배리어 패턴 상의 제1 일함수 금속 패턴을 포함하고, 상기 제2 게이트 패턴은 상기 제2 영역 상의 제2 게이트 절연 패턴, 상기 제2 게이트 절연 패턴 상의 제2 게이트 배리어 패턴, 및 상기 제2 게이트 배리어 패턴 상의 제2 일함수 금속 패턴을 포함하고, 상기 제1 게이트 배리어 패턴은 상기 제2 게이트 배리어 패턴과 다른 금속 물질을 포함하는 반도체 소자가 설명된다.