鳍式场效应晶体管（FinFET）器件及其形成方法,申请号CN201510245445.0-传众专利搜索

鳍式场效应晶体管（FinFET）器件及其形成方法

申请公布号：CN106206727A

申请号：CN201510245445.0

申请日期：2015.05.14

申请公布日期：2016.12.07

申请人：

台湾积体电路制造股份有限公司

发明人：张哲豪;程潼文;陈建颖;张哲诚;张永融

分类号：H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I

主分类号：H01L29/78(2006.01)I

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：章社杲;李伟

地址：中国台湾新竹

摘要：本发明提供了鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构以及形成FinFET器件结构的方法。FinFET结构包括衬底和形成在衬底上的隔离结构。FinFET结构也包括在衬底之上延伸的鳍结构，并且鳍结构嵌入在隔离结构中。FinFET结构还包括形成在鳍结构上的外延结构，外延结构具有五边形形状，并且外延结构和鳍结构之间的界面低于隔离结构的顶面。

主权项：一种鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构，包括：衬底；隔离结构，形成在所述衬底上；鳍结构，在所述衬底之上延伸，其中，所述鳍结构嵌入在所述隔离结构中；以及外延结构，形成在所述鳍结构上，其中，所述外延结构具有五边形形状，并且其中，所述外延结构和所述鳍结构之间的界面低于所述隔离结构的顶面。