晶体管重叠电容的测试结构及其测试方法,申请号CN201310113683.7-传众专利搜索

晶体管重叠电容的测试结构及其测试方法

申请公布号：CN104103628B

申请号：CN201310113683.7

申请日期：2013.04.02

申请公布日期：2017.02.22

申请人：

中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

发明人：李勇;洪中山

分类号：H01L23/544(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I

主分类号：H01L23/544(2006.01)I

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：骆苏华

地址：201203 上海市浦东新区张江路18号

摘要：一种晶体管重叠电容的测试结构及其测试方法，其中，晶体管重叠电容的测试方法包括：提供测试结构，测试结构包括位于半导体衬底上的晶体管、第一连接结构和第二连接结构，晶体管包括位于衬底上的栅介质层、位于栅介质层上的栅极、位于栅极两侧的半导体衬底中的源区和漏区，第一连接结构位于源区表面且连接源区，第二连接结构位于漏区表面且连接漏区，其中，源区或漏区还包括位于栅介质层下的重叠区；测试获取第一连接结构与栅极之间的第一电容；测试获取第二连接结构与栅极之间的第二电容；计算第一电容和第二电容的差值的绝对值，得到晶体管的重叠电容。本发明晶体管重叠电容的测试方法简单，并能准确简便地测试出晶体管的重叠电容。

主权项：一种晶体管重叠电容的测试方法，其特征在于，包括：提供测试结构，所述测试结构包括位于半导体衬底上的晶体管、第一连接结构和第二连接结构，所述晶体管包括位于衬底上的栅介质层、位于栅介质层上的栅极、位于栅极两侧的半导体衬底中的源区和漏区，所述第一连接结构位于源区表面且连接所述源区，所述第二连接结构位于漏区表面且连接所述漏区，其中，所述源区或漏区还包括位于栅介质层下的重叠区，所述重叠区只存在于所述栅极一侧的衬底中；测试获取所述第一连接结构与栅极之间的第一电容；测试获取所述第二连接结构与栅极之间的第二电容；计算所述第一电容和第二电容的差值的绝对值，得到晶体管的重叠电容。