抗辐射PIP型ONO反熔丝结构及CMOS工艺集成法,申请号CN201610841682.8-传众专利搜索

抗辐射PIP型ONO反熔丝结构及CMOS工艺集成法

申请公布号：CN106169461A

申请号：CN201610841682.8

申请日期：2016.09.22

申请公布日期：2016.11.30

申请人：

中国电子科技集团公司第五十八研究所

发明人：刘国柱;洪根深;赵文斌;吴建伟;朱少立;徐静;刘佰清

分类号：H01L23/525(2006.01)I

主分类号：H01L23/525(2006.01)I

代理机构：

总装工程兵科研一所专利服务中心 32002

代理人：杨立秋

地址：214035 江苏省无锡市滨湖区惠河路5号

摘要：本发明涉及抗辐射PIP型ONO反熔丝结构及CMOS工艺集成法，ONO反熔丝结构制作在场区之上；由下至上包括反熔丝下极板、反熔丝孔腐蚀掩蔽层、ONO反熔丝介质层、反熔丝上极板，反熔丝下极板为N型饱和掺杂的非晶硅薄膜，覆盖于场区上，反熔丝下极板的侧壁采用SPACER保护，反熔丝下极板的正上方设置贯通反熔丝孔腐蚀掩蔽层的反熔丝孔，反熔丝孔腐蚀掩蔽层覆盖于有源区、反熔丝下极板上，ONO反熔丝介质层覆盖于反熔丝孔腐蚀掩蔽层上，并填充在反熔丝孔内，反熔丝上极板是N型饱和掺杂的多晶硅薄膜。本发明能提升ONO反熔丝结构的单元抗辐射性能，缩小集成单元面积，优化ONO反熔丝结构设计，提高ONO反熔丝工艺的集成度。

主权项：抗辐射PIP型ONO反熔丝结构，其特征在于，所述ONO反熔丝结构是制作在位于硅衬底(00)上的P/N阱区(01、11)中的场区(02)之上；所述ONO反熔丝结构由下至上包括反熔丝下极板(03)、反熔丝孔腐蚀掩蔽层(05)、ONO反熔丝介质层(06)、反熔丝上极板(07)，反熔丝下极板(03)为N型饱和掺杂的非晶硅薄膜，覆盖于场区(02)上，反熔丝下极板(03)的侧壁采用SPACER保护，形成SPACER侧墙(04)，反熔丝下极板(03)的正上方设置贯通反熔丝孔腐蚀掩蔽层(05)的反熔丝孔(16)，反熔丝孔腐蚀掩蔽层(05)覆盖于有源区(22)、反熔丝下极板(03)上，ONO反熔丝介质层(06)覆盖于反熔丝孔腐蚀掩蔽层(05)上，并填充在反熔丝孔(16)内，反熔丝上极板(07)是N型饱和掺杂的多晶硅薄膜。