晶圆级半导体封装件及其制造方法,申请号CN201110051621.9-传众专利搜索

晶圆级半导体封装件及其制造方法

申请公布号：CN102468257B

申请号：CN201110051621.9

申请日期：2011.02.22

申请公布日期：2016.11.23

申请人：

日月光半导体制造股份有限公司

发明人：约翰·R·杭特

分类号：H01L23/485(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I

主分类号：H01L23/485(2006.01)I

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：陆勍

地址：中国台湾高雄市楠梓加工出口区经三路26号

摘要：本发明提供了一种晶圆级半导体封装件及其制造方法。半导体封装件包括至少一半导体芯片、中介层组件、封装体及下重布层。半导体芯片具有主动面。中介层组件具有上表面及下表面，中介层组件具有至少一导通孔，导通孔延伸于上表面与下表面之间。封装体包覆部分的主动芯片及部分之中介层组件。下重布层电性连接中介层组件与半导体芯片的主动面。

主权项：一种半导体封装件，包括：至少一半导体芯片，具有一主动面；一中介层组件，具有一上表面及一下表面，该中介层组件具有至少一导通孔，该至少一导通孔延伸于该上表面与该下表面之间，该中介层组件包含一基板材料，该基板材料包含金属、聚合物、金属合金或玻璃；一封装体，包覆部分的该半导体芯片及部分的该中介层组件；以及一下重布层，电性连接该中介层组件与该半导体芯片的该主动面，其中，该导通孔包括一内导电机制及一外介电层，该外介电层环绕该内导电机制，并位于该中介层组件的该基板材料与该内导电机制之间，使该内导电机制不与该封装体直接接触。