一种碳化硅双极结型晶体管,申请号CN201610587282.9-传众专利搜索

一种碳化硅双极结型晶体管

申请公布号：CN105977287A

申请号：CN201610587282.9

申请日期：2016.07.25

申请公布日期：2016.09.28

申请人：

电子科技大学

发明人：张有润;王文;郭飞;钟晓康;刘程嗣;刘凯

分类号：H01L29/06(2006.01)I;H01L29/16(2006.01)I;H01L29/732(2006.01)I

主分类号：H01L29/06(2006.01)I

代理机构：

成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232

代理人：葛启函

地址：611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

摘要：本发明属于高功率半导体器件技术领域，涉及一种碳化硅双极结型晶体管。本发明包括从下至上依次层叠设置的集电极、N+衬底、N‑集电区和P型基区；所述P型基区的上表面一端具有基极，另一端具有N+发射区，所述N+发射区上表面具有发射极；其特征在于，所述基极与N+发射区之间的P型基区上表面具有AlN层，所述AlN层与基极和N+发射区通过重掺杂层隔离，且重掺杂层还沿N+发射区上表面向远离基极的一侧延伸并与发射极连接。本发明的有益效果为，相比于传统技术，大大降低了工艺的复杂程度，提高了器件的良品率和可靠性，同时提高了SiC BJT器件的电流增益。

主权项：一种碳化硅双极结型晶体管，包括从下至上依次层叠设置的集电极(7)、N+衬底(6)、N‑集电区(5)和P型基区(4)；所述P型基区(4)的上表面一端具有基极(2)，另一端具有N+发射区(3)，所述N+发射区(3)上表面具有发射极(1)；其特征在于，所述基极(2)与N+发射区(3)之间的P型基区(4)上表面具有AlN层(9)，所述AlN层(9)与基极(2)和N+发射区(3)通过重掺杂层(8)隔离，且重掺杂层(8)还沿N+发射区(3)上表面向远离基极(2)的一侧延伸并与发射极(1)连接。