一种利用P型硅球作为硼源制备局部背场的方法,申请号CN201310426654.6-传众专利搜索

一种利用P型硅球作为硼源制备局部背场的方法

申请公布号：CN103500774B

申请号：CN201310426654.6

申请日期：2013.09.18

申请公布日期：2016.08.17

申请人：

南京航空航天大学

发明人：汪炜;洪捐;张伟;代建东

分类号：H01L31/18(2006.01)I

主分类号：H01L31/18(2006.01)I

代理机构：

南京经纬专利商标代理有限公司 32200

代理人：李纪昌;曹翠珍

地址：210016 江苏省南京市白下区御道街29号

摘要：本发明提供一种利用P型硅球作为硼源制备局部背场的方法，包括在晶硅太阳能电池背面，利用P型硅球配制硅墨或浆料作为硼源，采用喷墨打印或者丝网印刷来转移图案，经烘干，退火形成带硼掺杂的局部背场，再经沉积背表面钝化膜，印刷银浆，最后快速烧结使得背面电极银浆和硅硼掺杂区域形成欧姆接触。该工艺能跟现行生产工艺兼容，不需要增加新设备，生产成本低廉，适合工业化生产。

主权项：一种利用P型硅球作为硼源制备局部背场的方法，包括如下步骤：第1步、将硅片进行制绒、清洗、扩散、边缘刻蚀及去磷硅玻璃，得到前工序硅片；第2步、将P型硅球混合于印浆中，再印刷于第1步所得的前工艺硅片背面，烘干后再进行退火，得到带硼掺杂局部背场的硅片；第3步、在第2步所得的硼掺杂局部背场的硅片的背面沉积钝化膜；第4步、将银浆套印于烘干后的印浆表面，再进行烘干；第5步、对硅片进行烧结，使银浆和硅硼掺杂区域形成欧姆接触；所述的第2步中，打印方式是丝网印刷或者喷墨打印；所述的丝网印刷的工艺参数是：浆料中的P型硅球的粒径范围是100nm～3µm，浆料包括有按质量百分比计的如下组分：掺硼硅球5%～20%、表面活性剂1～10%、溶剂50%～80%、添加剂10%～35%，浆料印刷后的厚度范围是1～12µm。