Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung,申请号DE20141103712T-传众专利搜索

Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung

申请公布号：DE112014003712(T5)

申请号：DE20141103712T

申请日期：2014.11.12

申请公布日期：2016.04.28

申请人：

Fuji Electric Co., Ltd.

发明人：Naito, Tatsuya

分类号：H01L29/739;H01L29/78

主分类号：H01L29/739

摘要：Eine Vielzahl von Gräben 5 ist in einer sich in einer zu einer vorderseitigen Substratoberfläche parallelen Richtung erstreckenden Streifenform bis zu einer vorbestimmten Tiefe in einer Tiefenrichtung ab der vorderseitigen Substratoberfläche vorgesehen. Eine Gate-Elektrode 7 ist, mit einem dazwischenliegenden Gate-Isolierfilm 6, innerhalb jedes Grabens 5 vorgesehen. In durch die Gräben 5 getrennten Mesa-Gebieten sind p-Basisgebiete 3 auf einem Emitterpotential über die gesamte Oberflächenschicht auf der Seite der vorderseitigen Substratoberfläche hinweg vorgesehen. Innerhalb der p-Basisgebiete 3 sind n+-Emittergebiete 4 verstreut in einem vorbestimmten Abstand in der Längsrichtung der Gräben 5 vorgesehen. Eine p-Kollektorschicht 1 und eine n+-Pufferschicht 10 sind in dieser Reihenfolge auf der Oberflächenschicht der rückseitigen Substratoberfläche vorgesehen. Die Dicke t3 der n+-Pufferschicht 10 ist im Wesentlichen gleich der Dicke t2 einer n–-Driftschicht 2 oder größer als die Dicke t2 der n–-Driftschicht 2. Infolgedessen können, bei gleichzeitigem Aufrechterhalten einer Durchlassspannung, die Schaltverluste verringert werden.