采用e-SiGe的PMOS制造方法,申请号CN201110427854.4-传众专利搜索

采用e-SiGe的PMOS制造方法

申请公布号：CN103165464B

申请号：CN201110427854.4

申请日期：2011.12.19

申请公布日期：2016.02.17

申请人：

中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

发明人：何永根

分类号：H01L21/336(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I

主分类号：H01L21/336(2006.01)I

代理机构：

北京德琦知识产权代理有限公司 11018

代理人：牛峥;王丽琴

地址：201203 上海市浦东新区张江路18号

摘要：本发明公开了一种采用e-SiGe的PMOS制造方法，包括：提供形成有栅极的N型衬底，在所述N型衬底上将要形成P型源漏区PSD的部分刻蚀出凹槽；在所述凹槽中外延生长出SiGe层，所述SiGe层的高度高于所述衬底；对所述SiGe层进行离子束方向与晶圆表面法线方向呈角度的P型预离子注入；对PMOS区域进行离子注入，形成PSD。本发明在进行通常的PSD离子注入之前，额外的对SiGe层进行离子束方向与晶圆表面法线方向呈角度的预离子注入，该呈角度的预离子注入可以将P型离子注入进侧栅极的主侧墙底部的SiGe层区域中，从而弥补了后期PSD离子注入过程中，P型离子无法注入到主侧墙底部的SiGe层区域的问题，进而降低了PSD电阻，增强PMOS器件性能。

主权项：一种采用e‑SiGe的PMOS制造方法，其特征在于，包括：提供形成有栅极的N型衬底，所述栅极设有侧墙牺牲层，在所述N型衬底上将要形成P型源漏区PSD的部分刻蚀出凹槽；在所述凹槽中外延生长出SiGe层，所述SiGe层的高度高于所述衬底；去除所述栅极的侧墙牺牲层；在栅极两侧形成主侧墙；对所述SiGe层进行离子束方向与晶圆表面法线方向呈角度的P型预离子注入；对PMOS区域进行离子注入，形成PSD；其中，所述预离子注入过程采用低能离子束，离子束的方向与晶圆表面法线方向呈2～20°角，使得注入的离子能够沿着注入方向注入进主侧墙底部的SiGe层区域中，使得预离子注入过程产生的轻离子注入区延伸至主侧墙的底部。