一种离子注入阻挡层的制作方法,申请号CN201210136017.0-传众专利搜索

一种离子注入阻挡层的制作方法

申请公布号：CN102683184B

申请号：CN201210136017.0

申请日期：2012.05.04

申请公布日期：2016.01.27

申请人：

上海华力微电子有限公司

发明人：张文广;陈玉文

分类号：H01L21/265(2006.01)I

主分类号：H01L21/265(2006.01)I

代理机构：

上海新天专利代理有限公司 31213

代理人：王敏杰

地址：201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号

摘要：本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种离子注入阻挡层的制作方法。本发明提出一种离子注入阻挡层的制作方法，通过采用非晶态碳层作为离子注入工艺的阻挡层，不仅有效的起到阻挡作用，且能干净的去除，从而避免由于阻挡层去除不干净引进的工艺缺陷，进而有效提高产品良率。

主权项：一种离子注入阻挡层的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：在一衬底结构的上表面上沉积非晶态碳层后，继续沉积硬掩膜层覆盖所述非晶态碳层的上表面；步骤S2：采用光刻工艺，形成一部分覆盖所述硬掩膜层上表面的光阻，并以该光阻为掩膜刻蚀所述硬掩膜层至所述非晶态碳层后，去除所述光阻；步骤S3：以剩余硬掩膜层为掩膜刻蚀所述非晶态碳层至所述衬底结构后，采用湿法刻蚀工艺去除所述剩余硬掩膜层；步骤S4：以剩余非晶态碳层为阻挡层，对所述衬底结构进行离子注入工艺形成源漏区后，采用氧气等离子干法刻蚀工艺去除所述剩余非晶态碳层；其中，所述衬底结构为制备有浅沟隔离槽和薄氧化层的硅衬底，所述浅沟隔离槽部分嵌入所述硅衬底中，所述薄氧化层覆盖所述衬底暴露的上表面，所述非晶态碳层覆盖所述浅沟隔离槽和所述薄氧化层的上表面。