刻蚀方法,申请号CN201410192690.5-传众专利搜索

刻蚀方法

申请公布号：CN105097494A

申请号：CN201410192690.5

申请日期：2014.05.08

申请公布日期：2015.11.25

申请人：

北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司

发明人：朱海云

分类号：H01L21/311(2006.01)I

主分类号：H01L21/311(2006.01)I

代理机构：

北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112

代理人：彭瑞欣;张天舒

地址：100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道8号

摘要：本发明提供一种刻蚀方法，该刻蚀方法包括交替进行的以下步骤：初期沉积步骤，通入沉积气体，在基片的沟槽的底壁表面上和侧壁表面上形成第一保护层；初期刻蚀步骤，通入刻蚀气体，对所述沟槽的底壁表面上的第一保护层进行刻蚀，同时通入保护气体，该保护气体能够将基片氧化，以在所述沟槽的底壁表面上和侧壁表面的第一保护层上形成第二保护层。在本发明中，所述刻蚀方法能够在沟槽的侧壁表面上形成第一保护层和第二保护层，与现有技术相比，本发明提供的刻蚀方法能够降低横向刻蚀速度，从而能够有效地减少侧壁弯曲现象的发生，进而提高产品质量。

主权项：一种刻蚀方法，其特征在于，该刻蚀方法包括交替进行的以下步骤：初期沉积步骤，通入沉积气体，在基片的沟槽的底壁表面上和侧壁表面上形成第一保护层；初期刻蚀步骤，通入刻蚀气体，对所述沟槽的底壁表面上的第一保护层进行刻蚀，同时通入保护气体，该保护气体能够将基片氧化，以在所述沟槽的底壁表面上和侧壁表面的第一保护层上形成第二保护层。