电阻式记忆体装置及其记忆胞,申请号TW102143476-传众专利搜索

电阻式记忆体装置及其记忆胞

申请公布号：TWI503842

申请号：TW102143476

申请日期：2013.11.28

申请公布日期：2015.10.11

申请人：

华邦电子股份有限公司

发明人：谢明辉;苏源茂;苏画羽;金宁泰;柳德铉

分类号：G11C8/08

主分类号：G11C8/08

代理人：詹铭文台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;叶璟宗台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1

地址：台中市大雅区科雅一路8号

主权项：一种电阻式记忆胞，包括：一第一电晶体，具有第一端、第二端以及控制端，该第一电晶体的第一端及第二端分别耦接至一第一位元线及一参考电压，该第一电晶体的控制端接收一字元线信号；一第二电晶体，具有第一端、第二端以及控制端，该第二电晶体的第一端及第二端分别耦接至一第二位元线及该参考电压，该第二电晶体的控制端接收该字元线信号；一第一电阻，串接在该第一电晶体的第一端及该第一位元线的耦接路径间或串接在该第一电晶体的第二端及该参考电压的耦接路径间；以及一第二电阻，串接在该第二电晶体的第一端及该第二位元线的耦接路径间或串接在该第二电晶体的第二端及该参考电压的耦接路径间，其中该第一电阻的阻值高于该第二电阻的阻值时，该电阻式记忆胞所储存的一第一储存资料为第一逻辑准位，该第一电阻的阻值低于该第二电阻的阻值时，该第一储存资料为第二逻辑准位；或者该第一电阻及该第二电阻的阻值均大于一第一临界电阻值时，该第一储存资料为第一逻辑准位，该第一电阻及该第二电阻的阻值均小于一第二临界电阻值时，该第一储存资料为第二逻辑准位。